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算作第三代半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)被以为是功率半导体行业越过的主要标的。在近几年国内厂商不断千里淀工夫与升级家具的配景下,国产碳化硅 MOSFET在2024年运转放量。 碳化硅 MOSFET比较IGBT有哪些性能优胜性?系统老本是否完毕追平?国内碳化硅产业还靠近哪些挑战?近日,第一财经专访瑶芯微董事长郭亮良,就上述话题进行交流。 性能优胜,百亿好意思元市集可期 与IGBT比较,碳化硅器件在高压、高频、高温环境下有更好的阐扬,不错带来更高的电能诊疗遵循及更低的能量损耗,最近几年在汽
跟着大家电动汽车(EV)市集的飞速延伸,车载充电器(OBC)算作不竭电动汽车与电网的重要组件,其销售额也在飞速增长,2024年第一季度装机量达到了170.12万套,同比增长42.68%。 车载充电器不错告成从电源插座吸收电力,为电动汽车提供方便的充电形貌,比较于车外充电器,OBC因尺寸和本钱等杀青,对后果和可靠性的条件更高。现在,市集上的OBC大多继承两级式结构,该结构中的功率退换后果和可靠性在很猛进程上依赖于所使用的MOSFET性能。 现存车载充电器MOSFET的局限性 在OBC的诈欺中,M
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