热点资讯软件开发价格 瑶芯碳化硅功率MOSFET AK1CK2M040WAM
跟着大家电动汽车（EV）市集的飞速延伸，车载充电器（OBC）算作不竭电动汽车与电网的重要组件，其销售额也在飞速增长，2024年第一季度装机量达到了170.12万套，同比增长42.68%。
车载充电器不错告成从电源插座吸收电力，为电动汽车提供方便的充电形貌，比较于车外充电器，OBC因尺寸和本钱等杀青，对后果和可靠性的条件更高。现在，市集上的OBC大多继承两级式结构，该结构中的功率退换后果和可靠性在很猛进程上依赖于所使用的MOSFET性能。
现存车载充电器MOSFET的局限性
在OBC的诈欺中，MOSFET的选型至关贫苦，因为它们告成决定了充电器的后果、体积和可靠性。现在使用中的MOSFET器件主要濒临的问题包括高导通电阻和寄生电容问题。高导通电阻会导致导通损耗增多，这不仅会影响建筑的后果，也会在建筑驱动进程中产生止境的热量，对建筑的性能和寿命产生负面影响。关于硬开关诈欺（如Boost PFC），寄生电容过高可能会在开关退换进程中产生过高的应力，这会影响系统的可靠性。要是处理不妥，这种悠扬可能导致系统失稳，从而影响建筑的性能和寿命。此外，一般情况下，内阻越低的MOSFET，其寄生电容CGD越大，这关于打算师来说是一个难以均衡的方程，联系我们需要在镌汰损耗和提高稳定性之间找到最好点。
处理决策
AK1CK2M040WAM-A MOSFET，可等闲诈欺于车载充电器
面对这些挑战，瑶芯推出的AK1CK2M040WAM-A碳化硅功率MOSFET以其超卓性能提供了有用的处理决策。这款MOSFET在漏源之间最大耐压值可达1200V，足以得志OBC的诈欺需求。同期还有着较低的导通电阻，栅-源领域电压为15V时——导通电阻仅有40mΩ，这显赫镌汰了导通损耗和开关损耗，从而提高了OBC的举座后果。更低的损耗意味着更少的热量产生，进而减少散热需求，使得车载充电器不错打算得愈加紧凑，使居品愈加便携。
app开发图2 动态特质
它的寄生电容CGD为6.5pF，相对较小，在开关进程中，栅极和漏极之间的电荷交换较少，有助于减少米勒平台的捏续本事，从而加速开关速率。此外，还具有低反向规复电荷（QRR=133nC），这进一步种植了其在高频诈欺中的推崇，确保OBC在快速充电进程中的稳定驱动。
从本钱效益的角度来看软件开发价格，AK1CK2M040WAM-A不仅提高了OBC的性能，还通过降幼稚量损耗和优化系统打算，为电动汽车制造商提供了更具竞争力的处理决策。这款MOSFET的高后果和可靠性，使其成为电动汽车车载充电器打算的理思礼聘，有助于鼓动更等闲的电动汽车诈欺和市集经受度。
发布于：上海市