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TEM和STEM频频王人使用比SEM高的加快电压（用于LSI分析的为100~300kV），电子束透过薄样品（100nm傍边）的TEM，在透过样品后得到图像。在STEM中，用减弱的电子束进行扫描联系我们，检测透射电子或散射电子得到图像。 参照图2.49（a）线路TEM机制的成见。在图2.49中，为简单起见，不祥对于电子光学透镜的形色。如图2.49所示，照耀在样品上的电子束穿过样品，在检测系统中得到用电子束照耀的样品部分的放大投影图像。图2.49（b）显露了TEM图像的示例，不仅是面容，还有衍射对